高盛大幅上修2026-2028年WFE裝置預測至1500-2810億美元，DRAM與先進代工雙引擎驅動半導體裝置新迴圈。
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8 月 23 日，高盛發布全球半導體資本裝置產業報告，將 2026至 2028 年晶圓前端裝置（WFE）預測上調至 1500 億、2180 億和 2810 億美元，較此前預測分別高出 6%、17%和 35%。調整後三年同比增速為 36%、45%和 29%，此前預期為 28%、32%和 12%。
高盛指出，本輪上調主要受 DRAM 和先進製程代工的短期需求拉動，NAND 和邏輯/其他（包含 Terafab）將在中期接力。儲存與邏輯兩大板塊同步擴張，裝置產業的需求基礎正在從單一結構轉向多元驅動。
DRAM 裝置支出加速，產能約束延續至 2028 年
DRAM 是本次上修幅度最大的細分領域。高盛將 2026至 2028年 WFE 預測從 460 億、670 億、740 億美元上調至 480 億、720 億、970 億美元，同比增速從 45%、45%、10%上調至 50%、50%、35%。三星和 SK 海力士的資本開支預測分別上調 22%和 19%。
DRAM裝置支出加速，產能約束延續
HBM4是 DRAM 資本開支集中上修的直接推手。與 HBM3 相比，HBM4 採用更先進的封裝架構，對矽通孔（TSV）密度、微凸塊間距和熱管理能力提出了更高要求。這意味著每萬片月產能所需的刻蝕、沉積和檢測裝置投入將顯著增加。高盛預估，即便 DRAM 資本開支維持高位，產業產能約束仍將持續至 2028 年，裝置供應商的訂單可見度將延續較長時間。
代工與邏輯同步擴張，Terafab 貢獻增量
代工領域，高盛將 2026至 2028年 WFE 預測從 520 億、680 億、780 億美元上調至 580 億、840 億、1090 億美元，同比增速從 30%、30%、16%上調至 45%、45%、30%。臺積電每年資本開支上修 80 億美元，主要受 N2 製程強度提升和客戶需求推動。
N2 是臺積電首個採用環繞柵極（GAA）電晶體架構的量產節點。與 N3 相比，N2 的工藝複雜度更高，對 EUV 光刻、原子層沉積和選擇性刻蝕等裝置的用量明顯增加。高盛預估未來幾個季度 N2 將持續放量，拉動全鏈條裝置採購。先進製程代工的裝置強度顯著高於成熟製程，每一代節點升級都意味著更高的單位產能裝置投入。
代工與邏輯同步擴張，Terafab貢獻增量
邏輯/其他領域的 WFE 上修幅度同樣可觀。2026至 2028 年預測從 320 億、350 億、370 億美元上調至 340 億、470 億、530 億美元，同比增速從 5%、9%、6%上調至 11%、40%、12%。增量主要來自兩方面：英特爾需求超預期，成熟製程和模擬市場復甦。
Terafab 是本次預測中一個不可忽視的新變數。高盛已將 SpaceX 與特斯拉承諾的約 168 億美元 Terafab 初始階段裝置投入納入邏輯/其他類別的 WFE 預測。Terafab 的初始裝置採購涵蓋光刻、刻蝕、沉積、檢測等全類別，與邏輯晶片代工的裝置需求高度重疊。Terafab 貢獻了邏輯/其他板塊的大部分增量。高盛指出，Terafab 的影響尚處早期，隨著後續階段逐步落實，該類目仍有上修空間。
NAND 方面，高盛將 2026至 2028 年預測維持在 110 億、150 億、220 億美元，2027 年預測從 170 億降至 150 億，主要因部分廠商資本開支節奏調整。高盛預估 NAND 裝置支出在近期以技術升級為主，供給偏緊格局將持續至 2027 年。
裝置供應商全面受益 WFE 上修
高盛看好全球半導體裝置股。重點推薦應用材料、泛林半導體、ASML、東京電子、ASMI、BESI、Lasertec 和荏原。
裝置供應商全面受惠WFE上修
DRAM 擴產拉動刻蝕和沉積裝置需求，應用材料和泛林半導體是主要受益者。HBM4對 TSV 刻蝕和銅填充沉積的精度要求極高，這兩家公司在相關工藝環節擁有領先技術，訂單能見度清晰。
代工 N2 製程放量拉動光刻裝置採購。ASML的 EUV和 DUV 光刻機需求持續走高。N2對 EUV 層數的需求較 N3 增加了約 20%，且每層所需的曝光劑量更高，直接推升光刻裝置消耗。檢測裝置商 Lasertec 同時受益於 DRAM 和邏輯兩大板塊的擴產。先進封裝測試裝置方面，BESI 和荏原受益於 HBM 封裝複雜度提升。
高盛上調的不只是數字，還有對產業週期的判斷。DRAM、代工、NAND、邏輯四大板塊同步擴張，Terafab 開始貢獻增量，裝置產業的增長基礎正在從單一結構性修復轉向多元驅動。裝置供應商的訂單能見度和利潤率都處於上升通道。
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